IBM 和三星宣布在半导体设计方面取得突破，这可能为晶体管密度比以往任何时候都大的强大新处理器铺平道路。
在一年一度的 IEDM 半导体会议上，两人发表了对一种新架构的研究，该架构将晶体管放置在垂直于芯片表面的位置，并在两个方向上产生垂直电流该芯片架构称为VTFET，为垂直传输场效应晶体管
据 IBM 和三星称，这种新颖的方法展示了一条超越纳米片制造技术的清晰路径，之后芯片上晶体管之间的距离降至小于 1 纳米。“做硬件变得‘不酷’了，”Odonnell说。”。
IBM Research 混合云和系统副总裁 Mukesh Khare 博士说:今天的技术公告是关于挑战传统，并重新思考我们如何继续推动社会进步并提供新的创新来改善生活并减少我们对环境的影响。“尽管名字叫硅谷，但硅谷现在雇佣的真正的硅工程师相对较少。
鉴于该行业目前在多个方面面临限制，IBM 和三星正在展示我们对半导体设计联合创新的承诺以及对我们所谓的‘硬技术’的共同追求。
摩尔定律继续存在
当今最主要的芯片架构被称为横向传输场效应晶体管例如，在鳍式场效应晶体管 架构下，晶体管被封装在芯片表面上，电流在它们之间横向流动可是，使用 VTFET，工程师可以使用额外的维度，电流向上和向下流动
IBM 解释说:过去，设计人员通过缩小栅极间距和布线间距，将更多晶体管封装到芯片上但对于最先进的 finFET 技术，间隔，栅极和触点的空间有限
通过放宽对晶体管栅极长度，间隔厚度和触点尺寸的物理限制来解决缩放障碍，以便优化这些功能，无论是性能还是能耗。
IBM 表示，这一突破意义重大，主要有两个原因首先，VTFET 有望为摩尔定律的延续扫清道路，许多人认为这是不可能的当然，晶体管的数量越多，芯片的功能就越强大——最终计算机，工作站，服务器等的功能也就越强大
其次，据说 VTFET 允许更大的电流流动，而浪费的能量更少，与传统 FET 相比，这有助于将芯片消耗的能量减少多达 85%。
就现实世界的影响而言，IBM 表示基于 VTFET 架构的芯片可以为电池寿命超过一周的智能手机铺平道路，大大减少执行计算密集型工作负载所需的能源)， 和更多。
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