据业内人士透露，国际IDM正率先将将高利润的汽车MOSFET和IGBT功率模块生产从8英寸迁移至12英寸，以提高其在该领域的竞争力。
《电子时报》援引该人士称，日本东芝半导体最近宣布计划投资1，000亿日元，扩大其12英寸汽车电源模块fab产能英飞凌和AOS也大胆采用12英寸晶圆产能内部生产高端汽车MOSFET和IGBT功率芯片解决方案，具有高毛利率和技术门槛
在将生产重点转向汽车电源模块的同时，IDM们也在削减用于IT应用的MOSFET的产量，导致消费级MOSFET短缺，并促使客户将订单转向中国台湾的供应商消息人士称，后者都在加强SGT MOSFET的生产，以满足商用笔记本电脑和台式电脑的订单
不像短缺受到很多关注的MCU，MOSFET作为一个基础器件并不昂贵。但是，随着芯片供应困难的长期化，连这一基础器件也供不应求。
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