集微咨询认为:
—与集成电路其他产品相比，存储芯片的收入最近几年内将经历最快速的增长，预计2020年至2025年的复合年增长率将超过9%。
—截至2020年末长江存储取得全球接近1%市场份额，全资子公司武汉新芯聚焦Nor flash，与长存NAND补齐Flash版图。迫于中低阶产品长期的价格竞争，国内的CCM厂商毛利率几乎是呈现逐年下滑的趋势。
—本土需求叠加外部因素催生本土厂商产能跃进，未来五年长鑫，长存产能有望持续提升，形成较高的市场竞争力。。
NAND与DRAM存储芯片为全国最大市场体量的芯片，且国内需求巨大，以长江存储，长鑫存储等为代表的存储企业成立历史尚短，但通过持续技术迭代，已取得不断突破。
日前，集微咨询重磅发布《中国半导体企业100强》排行榜，长江存储排名第七位，长鑫存储排名第十一位。
存储芯片需求攀升
半导体存储器从易失性角度分为随机存储器RAM和只读存储器 ROM 两种目前市场主流的半导体存储器以 DRAM，NAND Flash和NOR Flash
DRAM集成度高，功耗低，存取速度慢从存储能力来说，DRAM所能提供的存储容量更大，访问时间较长NAND 容量大，单位容量成本低，NOR 读取速度快，可靠性高，擦除速度快多应用于嵌入式系统采用的DOC及闪盘
根据IC Insights数据，2021年，全球存储器IC市场超过1550亿美元，其中56%预计将来自于DRAM产品，约41%由NAND存储器的销售产生。
伴随云计算，人工智能和物联网等重要趋势推动数据大爆炸时代的来临，并助推了未来几年存储需求的强劲增长与集成电路其他产品相比，存储芯片的收入最近几年内将经历最快速的增长，预计2020年至2025年的复合年增长率将超过9%
Yole数据显示，作为全球存储重要市场，中国存储芯片市场规模由2014年的1274亿元增长至2019的2697亿元，年均复合增长率达到16.18%。
长江存储:3D NAND Flash+Nor Flash
长江存储是大陆首家实现64层3D NAND量产的IDM企业其全资子公司武汉新芯聚焦Nor flash，与长江存储NAND补齐Flash版图
2018年，长江存储发布Xtacking架构，2019年9月，长江存储成功量产64层TLC 3D NAND 闪存此后，长江存储跳过96层3D NAND闪存技术量产，2020年4月宣布128层TLC/QLC两款产品研发成功，其中X2—6070是业界首款128层QLC闪存
根据民生证券数据，截至2020年末长江存储取得全球接近1%市场份额，预计2025年底占全球总产能的比例将达到约6%到2019年和2020年底，长江存储产能分别达到2万/月，4万/月，2021年，2022年，2023年，2024年，2025年长江存储产能分别将达到10万片/月，15万片/月，20万片/月，25万片/月，30万片/月
此外，全资子公司武汉新芯聚焦Nor flash，与长存NAND 补齐Flash版图，武汉新芯成立于2006年，由湖北省市区三级政府集体决策投资107亿，建设中部地区第一条12英寸集成电路生产线，2008年建成投产2017年武汉新芯开始聚焦IDM 战略，发布了集产品设计，晶圆制造与产品销售于一体的自主品牌，致力于开发高性价比的SPI NOR Flash产品
长鑫存储:DRAM技术快速成长
DRAM作为是存储最大细分市场，在电动车和智能网联汽车的推动下，全球居家办公需求延续，5G，人工智能大发展的背景下，DRAM需求也随之不断攀升合肥长鑫存储作为一体化存储器制造商，专业从事动态随机存取存储芯片的设计，研发，生产和销售，目前已建成第一座12英寸晶圆厂并投产
2020年底，合肥长鑫19nm DRAM芯片实现量产，产能达到4万片当下长鑫量产的主要是10G1工艺下的DDR4，LPDDR4未来将推出10G3工艺下的DDR5，LPDDR5，及10G5工艺下的DDR5，LPDDR5，GDDR6
2020年安徽省经济和信息化厅去年印发了《重点领域补短板产品和关键技术攻关任务揭榜工作方案》，其中要求实现低功耗高速率LPDDR5 DRAM产品开发，依托DRAM 17nm及以下工艺，攻关高速接口技术，Bank Group架构设计技术，低功耗电源技术，片内纠错编码技术，完成低功耗高速率LPDDR5 DRAM产品开发。为缓解此局面，一线厂商近几年受益于客户群在手机拍照功能上的;内卷;，尽可能的提升高端产品出货占比，然而这一局面却在华为手机受制于中美贸易问题后也受到了影响。
集微咨询认为，目前，全球存储芯片主要由国外寡头企业供给，国产存储存在的巨大缺口伴随国际形势以及国内缺口，国产存储芯片自主化已成必然路径以长存，长鑫为代表的国内存储企业经过技术攻关，已取得系列技术突破，并覆盖NAND与DRAM等主要领域
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